半導體
突破傳統探針極限,預防先進封裝 RDL 與 C4 layer 鋼珠電性缺陷風險
在 2.5D/3D 先進封裝(RDL)及 C4 bump 製程中,微型化的線寬線距與高密度點位使傳統接觸式探針(Probe Card)面臨刮傷線路、物理壓傷、扎穿金屬層或探針耗損等極限。
興城科技正進行開發中之 RDL 及 C4 layer 非接觸式電性檢測技術,運用創新非破壞性電性感測機制,可在零接觸的前提下精準偵測斷路(Open Short)缺陷,確保關鍵重佈線層品質,有效避免後續製程封裝成本浪費。


核心技術亮點
創新非接觸式電性感測技術,完全無損晶圓與線路表面
專為高密度 RDL 及 C4 Layer 之 Open / Short 斷短路精準檢測設計
提前攔截關鍵電性缺陷,大幅降低先進封裝後段衍生成本
