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IR 檢量測系統( Overlay Shift、Inner Crack、Chipping、Silicon內部結構異常檢測 )

半導體

穿透矽晶內部,掌握不可視缺陷風險

在先進封裝製程中,晶圓內部裂紋(Inner cracks)、Chipping、Overlay 偏移與 Die 內部異物等關鍵缺陷並不會表露於表面。若僅依賴傳統表面 AOI,將產生嚴重的檢測盲區,進而影響後續製程判定與量產良率。

興城科技 IR 檢量測系統運用紅外光穿透矽材料的物理特性,專攻矽晶圓與 Die 的深層非破壞性檢查。無需破壞樣品,即可精準實現內部結構觀察、缺陷深度分析與製程品質監控,大幅縮短問題追溯時間,提升缺陷判定效率。

核心技術亮點
  • 先進短波紅外光(IR)穿透矽材料技術

  • 100% 非破壞性檢查(Non-destructive Testing),不傷晶圓樣品

  • 高解析度晶圓內部結構觀察、缺陷分析與製程品質監控能力