半導體
穿透矽晶內部,掌握不可視缺陷風險
在先進封裝製程中,晶圓內部裂紋(Inner cracks)、Chipping、Overlay 偏移與 Die 內部異物等關鍵缺陷並不會表露於表面。若僅依賴傳統表面 AOI,將產生嚴重的檢測盲區,進而影響後續製程判定與量產良率。
興城科技 IR 檢量測系統運用紅外光穿透矽材料的物理特性,專攻矽晶圓與 Die 的深層非破壞性檢查。無需破壞樣品,即可精準實現內部結構觀察、缺陷深度分析與製程品質監控,大幅縮短問題追溯時間,提升缺陷判定效率。


核心技術亮點
先進短波紅外光(IR)穿透矽材料技術
100% 非破壞性檢查(Non-destructive Testing),不傷晶圓樣品
高解析度晶圓內部結構觀察、缺陷分析與製程品質監控能力
