半導体:IR計測・検査システム（オーバーレイずれ、内部クラック、チッピング、シリコン内部構造異常の検査）
シリコン内部を透過観察し、外部から見えない欠陥を検出
先端パッケージング工程では、ウェーハやダイの内部クラック、チッピング、オーバーレイずれ、ダイ内部の異物など、表面には現れない重要な欠陥があります。従来の外観検査だけでは重大なブラインドスポットが生じ、後工程の判定や量産歩留まりに影響する可能性があります。
Centrum TechnologyのIR計測・検査システムは、赤外光がシリコンを透過する物理特性を利用し、シリコンウェーハおよびダイ内部を非破壊で検査します。試料を破壊することなく、内部構造の観察、欠陥深さの解析、プロセス品質のモニタリングが可能となり、異常原因の追跡時間を短縮し、欠陥判定の効率を向上させます。
コア技術
- 短波赤外（SWIR／IR）によるシリコンの透過測定技術。
- ウェーハを傷つけない完全非破壊検査。
- 高分解能の内部構造観察、欠陥解析、インライン工程品質管理。